DMP213DUFA-7B

Výrobca Číslo produktu:

DMP213DUFA-7B

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMP213DUFA-7B-DG

Popis:

MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN

Podrobný popis:

P-Channel 25 V 145mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Inventár:

Online RFQ

12895488

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMP213DUFA-7B Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Discontinued at Digi-Key

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

25 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

145mA (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.7V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

0.35 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

-8V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

27.2 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

360mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

X2-DFN0806-3

Balenie / puzdro

3-XFDFN

Základné číslo produktu

DMP213

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMP213DUFA-7B-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

10,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

diodes

DMTH4008LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

diodes

DMTH10H025LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

diodes

DMTH6010SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060