Výrobca Číslo produktu:
DMP22D5UFB4-7B
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMP22D5UFB4-7B-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 400mA (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventár:
13309590
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMP22D5UFB4-7B Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Bulk
Seriál
-
Balenie
Bulk
Stav dielu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
400mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
17 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
460mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
X2-DFN1006-3
Balenie / puzdro
3-XFDFN
Základné číslo produktu
DMP22
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
31-DMP22D5UFB4-7B
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMP22D5UFB4-7R
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMP22D5UFB4-7R-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN39M1LK3-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMP31D7LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMP3036SFVQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI333