Výrobca Číslo produktu:
DMP45H4D9HJ3
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMP45H4D9HJ3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Podrobný popis:
P-Channel 450 V 4.6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
Inventár:
55 Ks Nové Originálne Na Sklade
12884678
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMP45H4D9HJ3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
450 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
547 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
DMP45
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP2541UCB9-7
MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9
DMNH4005SCTQ
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
DMP6180SK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
