DMS2220LFW-7

Výrobca Číslo produktu:

DMS2220LFW-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMS2220LFW-7-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020 (3x2)

Inventár:

Online RFQ

12899484

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMS2220LFW-7 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

2.9A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

1.8V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

95mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.3V @ 250µA

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

632 pF @ 10 V

Funkcia FET

Schottky Diode (Isolated)

Stratový výkon (max.)

1.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-DFN3020 (3x2)

Balenie / puzdro

8-VDFN Exposed Pad

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMS2220LFW-7-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

DMS2220LFWDICT

DMS2220LFW7

DMS2220LFWDITR

DMS2220LFWDIDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

taiwan-semiconductor

TSM70N1R4CP ROG

MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252

taiwan-semiconductor

TSM70N900CH C5G

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM70N600ACL X0G

MOSFET N-CH 700V 8A TO262S

TSM1NB60SCT B0

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92