Výrobca Číslo produktu:
DMS3015SSS-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMS3015SSS-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
44403 Ks Nové Originálne Na Sklade
12888417
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMS3015SSS-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1276 pF @ 15 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
1.55W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
DMS3015
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DMS3015SSS-13DIDKR
DMS3015SSS13
DMS3015SSS-13DITR
DMS3015SSS-13DICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3007SCGQ-7
MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
DMT3006LFVQ-7
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
DMTH6016LFVW-13
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
