Výrobca Číslo produktu:
DMS3016SFG-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMS3016SFG-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventár:
12883518
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMS3016SFG-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1886 pF @ 15 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
980mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ3E100MNTB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5261
ČÍSLO DIELU
RQ3E100MNTB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
40431
ČÍSLO DIELU
RQ3E080BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
