DMT10H052LFDF-13

Výrobca Číslo produktu:

DMT10H052LFDF-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT10H052LFDF-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventár:

Online RFQ

12978826

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

nqXi

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMT10H052LFDF-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

5A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

5.4 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

258 pF @ 50 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

800mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

U-DFN2020-6 (Type F)

Balenie / puzdro

6-UDFN Exposed Pad

Základné číslo produktu

DMT10

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

10,000

Iné mená

31-DMT10H052LFDF-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMNH6021SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMP2065U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMT8008LFG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R