DMT15H017SK3-13
Výrobca Číslo produktu:

DMT15H017SK3-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT15H017SK3-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 68A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

12987662
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMT15H017SK3-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
68A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2344 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.7W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
DMT15

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMT15H017SK3-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
micro-commercial-components

MCAC50N06Y-TP

MCAC50N06Y-TP

goford-semiconductor

G15N06K

MOSFET N-CH 60V 15A TO-252

diodes

ZXMP6A16KQTC

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R

diodes

DMN2451UFB4Q-7R

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-