Výrobca Číslo produktu:
DMT32M4LFG-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT32M4LFG-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 100A (Tc) 1.1W Surface Mount POWERDI3333-8
Inventár:
13000685
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT32M4LFG-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4366 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMT32
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
31-DMT32M4LFG-7TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN1008UFDFQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN6069SFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMN2710UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
