Výrobca Číslo produktu:
DMT32M5LPSW-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT32M5LPSW-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventár:
12986828
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT32M5LPSW-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4389 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.2W (Ta), 100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8 (Type UX)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
DMT32
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMT32M5LPSW-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
GT035N06T
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
FDBL9406-F085HM
MOSFET
TW083N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
