Výrobca Číslo produktu:

DMT35M4LPSW-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT35M4LPSW-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 18.9A (Ta), 71.1A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventár:

Online RFQ

13269120

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMT35M4LPSW-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

18.9A (Ta), 71.1A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

16 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1029 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.5W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Trieda

-

Kvalifikácia

-

Typ montáže

Surface Mount, Wettable Flank

Balík zariadení dodávateľa

PowerDI5060-8 (Type UX)

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,500

Iné mená

31-DMT35M4LPSW-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

infineon-technologies

IMDQ75R140M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

DMT15H053SPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

IPP029N06NXKSA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

ISC015N06NM5LF2ATMA1

TRENCH 40<-<100V