DMT43M8LFV-13

Výrobca Číslo produktu:

DMT43M8LFV-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT43M8LFV-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 87A (Tc) 2.25W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Inventár:

Online RFQ

12894650

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMT43M8LFV-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

40 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

87A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

44.4 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3213 pF @ 20 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.25W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

PowerDI3333-8 (Type UX)

Balenie / puzdro

8-PowerVDFN

Základné číslo produktu

DMT43

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMT43M8LFV-13-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

taiwan-semiconductor

TSM60NB900CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

diodes

DMP4025SFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8

diodes

DMT10H072LFDF-13

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM160N10CZ C0G

MOSFET N-CH 100V 160A TO220