Výrobca Číslo produktu:
DMT6015LFV-7
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT6015LFV-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventár:
1750 Ks Nové Originálne Na Sklade
12888720
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT6015LFV-7 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1103 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (Type UX)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMT6015
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
31-DMT6015LFV-7TR
31-DMT6015LFV-7CT
DMT6015LFV-7-DG
31-DMT6015LFV-7DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TPN11006NL,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10188
ČÍSLO DIELU
TPN11006NL,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN3200U-7
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
DMTH4008LFDFW-13
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
