DMT67M8LK3-13
Výrobca Číslo produktu:

DMT67M8LK3-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT67M8LK3-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 3.1W (Ta), 89.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

13000804
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMT67M8LK3-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
87A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2130 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 89.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMT67M8LK3-13TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NTTFS012N10MDTAG

PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8

diodes

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

taiwan-semiconductor

TSM650P03CX

-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO

diodes

DMTH12H007SPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5