Výrobca Číslo produktu:
DMT69M5LFVWQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT69M5LFVWQ-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventár:
13000877
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT69M5LFVWQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1406 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMT69M5LFVWQ-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMT69M5LFVWQ-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMT69M5LFVWQ-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
