DMT8012LFG-7

Výrobca Číslo produktu:

DMT8012LFG-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMT8012LFG-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V PWRDI3333

Podrobný popis:

N-Channel 80 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventár:

5045 Ks Nové Originálne Na Sklade

12888737

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMT8012LFG-7 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

80 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9.5A (Ta), 35A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

6V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

16mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1949 pF @ 40 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.2W (Ta), 30W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

PowerDI3333-8

Balenie / puzdro

8-PowerVDFN

Základné číslo produktu

DMT8012

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMT8012LFG-7-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,000

Iné mená

DMT8012LFG-7DICT

DMT8012LFG-7DIDKR

DMT8012LFG-7DITR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

diodes

DMT3004LFG-13

MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

diodes

DMP510DLW-7

MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 T&R

diodes

DMNH6042SK3-13

MOSFET N-CH 60V 25A TO252

diodes

DMG9N65CT

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB