Výrobca Číslo produktu:
DMT8012LK3-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT8012LK3-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 44A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventár:
7115 Ks Nové Originálne Na Sklade
12896424
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT8012LK3-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
44A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1949 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
DMT8012
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DMT8012LK3-13DITR
DMT8012LK3-13DICT
DMT8012LK3-13DIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM5NC50CF C0G
MOSFET N-CH 500V 5A ITO220S
DMTH6016LFVWQ-13
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
DMTH10H025LPSQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
