Výrobca Číslo produktu:
DMT8012LSS-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMT8012LSS-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventár:
1064 Ks Nové Originálne Na Sklade
12897276
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMT8012LSS-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1949 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
DMT8012
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMT8012LSS-13DKR
DMT8012LSS-13DIDKR-DG
DMT8012LSS-13DITR-DG
DMT8012LSS-13DICT-DG
31-DMT8012LSS-13CT
DMT8012LSS-13DITR
31-DMT8012LSS-13TR
DMT8012LSS-13DIDKR
DMT8012LSS-13DICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS86141
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9995
ČÍSLO DIELU
FDS86141-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.91
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM10NC65CF C0G
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
TSM900N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
TSM60N750CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
