DMTH10H010LPS-13
Výrobca Číslo produktu:

DMTH10H010LPS-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMTH10H010LPS-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) 1.5W, 125W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventár:

Online RFQ
12896110
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMTH10H010LPS-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.8A (Ta), 98.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2592 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W, 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
DMTH10

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
DMTH10H010LPS-13-DG
Technické listy
DMTH10H010LPS-13

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
BSZ084N08NS5ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
37514
ČÍSLO DIELU
BSZ084N08NS5ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDMS86103L
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1417
ČÍSLO DIELU
FDMS86103L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.09
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
BSZ110N08NS5ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
56961
ČÍSLO DIELU
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.39
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
taiwan-semiconductor

TSM80N400CF C0G

MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S

diodes

DMN7022LFG-7

MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8

taiwan-semiconductor

TSM025NB04LCR RLG

MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN

diodes

DMT35M7LFV-7

MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333