DMTH10H015LPS-13
Výrobca Číslo produktu:

DMTH10H015LPS-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMTH10H015LPS-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 7.3A (Ta), 44A (Tc) 1.3W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventár:

2500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12949755
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMTH10H015LPS-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Ta), 44A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1871 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta), 46W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
DMTH10

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMTH10H015LPS-13DKR
31-DMTH10H015LPS-13TR
DMTH10H015LPS-13-DG
31-DMTH10H015LPS-13CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMN1004UFDF-7

MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM10NC60CF C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S

diodes

DMTH10H015LK3-13

MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252

toshiba-semiconductor-and-storage

TK40E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3