DMTH15H017SPSWQ-13
Výrobca Číslo produktu:

DMTH15H017SPSWQ-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMTH15H017SPSWQ-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 11A (Ta), 61A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventár:

Online RFQ
12992692
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMTH15H017SPSWQ-13 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 61A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2344 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8 (Type UX)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
DMTH15

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
DMTH15H017SPSWQ-13-DG
Technické listy
DMTH15H017SPSWQ-13

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMTH15H017SPSWQ-13

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
diodes

DMT10H032LK3-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506

infineon-technologies

ISC030N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V