Výrobca Číslo produktu:
DMTH47M2LFVWQ-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMTH47M2LFVWQ-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.9W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventár:
13002837
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMTH47M2LFVWQ-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
881 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.9W (Ta), 37.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMTH47
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
31-DMTH47M2LFVWQ-13
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ISC073N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
MCQ20N03HE3-TP
Interface
G160P03KI
P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
