Výrobca Číslo produktu:

DMTH6004SCTB-13

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMTH6004SCTB-13-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventár:

790 Ks Nové Originálne Na Sklade

12888867

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

DMTH6004SCTB-13 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

100A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

95.4 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

4556 pF @ 30 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

4.7W (Ta), 136W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Trieda

Automotive

Kvalifikácia

AEC-Q101

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

DMTH6004

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

DMTH6004SCTB-13-DG

Technické listy

DMTH6004SCTB-13

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

800

Iné mená

DMTH6004SCTB-13DITR

DMTH6004SCTB-13DIDKR

DMTH6004SCTB-13DICT

DMTH6004SCTB-13-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU

DMTH6004SCTBQ-13

VÝROBCA

Diodes Incorporated

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

667

ČÍSLO DIELU

DMTH6004SCTBQ-13-DG

CENA ZA JEDNOTKU

1.23

Typ substitútu

Parametric Equivalent

ČÍSLO DIELU

IPB034N06L3GATMA1

VÝROBCA

Infineon Technologies

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

1977

ČÍSLO DIELU

IPB034N06L3GATMA1-DG

CENA ZA JEDNOTKU

0.77

Typ substitútu

MFR Recommended

ČÍSLO DIELU

FDB029N06

VÝROBCA

Fairchild Semiconductor

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

5208

ČÍSLO DIELU

FDB029N06-DG

CENA ZA JEDNOTKU

3.77

Typ substitútu

MFR Recommended

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

DMT8008LSS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8

diodes

DMN3051L-7

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

diodes

DMP3010LK3Q-13

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

diodes

DMN65D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23