Výrobca Číslo produktu:
DMTH6004SK3-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMTH6004SK3-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 3.9W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Inventár:
1524 Ks Nové Originálne Na Sklade
12899349
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMTH6004SK3-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4556 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.9W (Ta), 180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
DMTH6004
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DMTH6004SK3-13DICT
DMTH6004SK3-13DIDKR
DMTH6004SK3-13DITR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMTH6004SK3Q-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
946
ČÍSLO DIELU
DMTH6004SK3Q-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM480P06CZ C0G
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
DMN10H170SFGQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
TSM60NB1R4CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
