Výrobca Číslo produktu:
DMTH6010SK3Q-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMTH6010SK3Q-13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventár:
2324 Ks Nové Originálne Na Sklade
12894762
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMTH6010SK3Q-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16.3A (Ta), 70A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2841 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
DMTH6010
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
DMTH6010SK3Q-13DITR
DMTH6010SK3Q-13-DG
DMTH6010SK3Q-13DIDKR
DMTH6010SK3Q-13DICT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVD5C668NLT4G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NVD5C668NLT4G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.75
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMT30M9LPS-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
DMP3020LSS-13
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
DMN53D0U-13
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
