DMTH6016LFVW-7
Výrobca Číslo produktu:

DMTH6016LFVW-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DMTH6016LFVW-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 41A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventár:

12901521
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DMTH6016LFVW-7 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
41A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
939 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
DMTH6016

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDFMA2P859T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

diodes

DMN62D0LFB-7

MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN

diodes

DMP2033UVT-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26

diodes

DMP2123LQ-13

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23