Výrobca Číslo produktu:
DMTH61M8SPS-13
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
DMTH61M8SPS-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 215A (Tc) 3.2W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventár:
12979089
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DMTH61M8SPS-13 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
215A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8306 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.2W (Ta), 167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerDI5060-8 (Type K)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
31-DMTH61M8SPS-13TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMTH61M8SPSQ-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
DMTH61M8SPSQ-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS84Q-13-F
BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
DMT10H025LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT10H9M9SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
