DRDNB26W-7
Výrobca Číslo produktu:

DRDNB26W-7

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

DRDNB26W-7-DG

Popis:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

Inventár:

Online RFQ
12888772
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

DRDNB26W-7 Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased + Diode
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
600 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
220 Ohms
Rezistor - základňa emitora (R2)
4.7 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
200 MHz
Výkon - Max
200 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
DRDNB26

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
DRDNB26W-7-DG
Technické listy
DRDNB26W-7

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
diodes

DDTC115TKA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3

diodes

DDTA114WE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

diodes

DDTC124EE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

diodes

DDTC115TUA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323