ZVN2120ASTZ
Výrobca Číslo produktu:

ZVN2120ASTZ

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

ZVN2120ASTZ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 180mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventár:

12953672
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

ZVN2120ASTZ Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
180mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
85 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
E-Line (TO-92 compatible)
Balenie / puzdro
E-Line-3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPBE65R190CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12J60W,S1VE(S

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P

vishay-siliconix

IRFBC40PBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFB9N60A

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB