ZVN3310ASTOB

Výrobca Číslo produktu:

ZVN3310ASTOB

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

ZVN3310ASTOB-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventár:

Online RFQ

12905021

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

ZVN3310ASTOB Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

200mA (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.4V @ 1mA

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

40 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

625mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

E-Line (TO-92 compatible)

Balenie / puzdro

E-Line-3

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

ZVN3310ASTOB-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

4,000

Iné mená

Q1030741

ZVN3310ASTOB-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

IRFP044PBF

MOSFET N-CH 60V 57A TO247-3

diodes

ZXM61P02FTC

MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3

diodes

VN10LFTC

MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3

diodes

ZVN4206GTA

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223