ZVN4310A
Výrobca Číslo produktu:

ZVN4310A

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

ZVN4310A-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 900mA (Ta) 850mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventár:

Online RFQ
12904907
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

ZVN4310A Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
900mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
850mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základné číslo produktu
ZVN4310

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
ZVN4310A-DG
Technické listy
ZVN4310A

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
4,000
Iné mená
ZVN4310A-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFI9620GPBF

MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3

diodes

ZXMN7A11GTA

MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223

diodes

ZXMP6A18KTC

MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3

littelfuse

IXFT50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO268