ZVP2110ASTOB

Výrobca Číslo produktu:

ZVP2110ASTOB

Product Overview

Výrobca:

Diodes Incorporated

Číslo dielu:

ZVP2110ASTOB-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE

Podrobný popis:

P-Channel 100 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventár:

Online RFQ

12905223

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

ZVP2110ASTOB Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Diodes Incorporated

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

230mA (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

8Ohm @ 375mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3.5V @ 1mA

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

100 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

700mW (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

E-Line (TO-92 compatible)

Balenie / puzdro

E-Line-3

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

ZVP2110ASTOB-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU

VP0109N3-G

VÝROBCA

Microchip Technology

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

697

ČÍSLO DIELU

VP0109N3-G-DG

CENA ZA JEDNOTKU

0.81

Typ substitútu

MFR Recommended

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXTY08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

diodes

ZXMN10A07FTA

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

littelfuse

IXFT150N30X3HV

MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV

diodes

ZXMN10A11K

MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3