Výrobca Číslo produktu:
ZXMHC10A07N8TC
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
ZXMHC10A07N8TC-DG
Popis:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SO
Inventár:
17688 Ks Nové Originálne Na Sklade
12904662
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ZXMHC10A07N8TC Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
800mA, 680mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Výkon - Max
870mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
ZXMHC10A07
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
ZXMHC10A07N8DITR
ZXMHC10A07N8DICT
ZXMHC10A07N8DIDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMC3035LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
