Výrobca Číslo produktu:
ZXMN2A01E6TC
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
ZXMN2A01E6TC-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventár:
12885066
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ZXMN2A01E6TC Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
303 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-6
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXMN2A01E6TA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7328
ČÍSLO DIELU
ZXMN2A01E6TA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SI3442BDV-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26929
ČÍSLO DIELU
SI3442BDV-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ZVP4424ASTOA
MOSFET P-CH 240V 200MA E-LINE
ZVNL110GTC
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
ZVN3306ASTOA
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
