Výrobca Číslo produktu:
ZXMN2A04DN8TA
Product Overview
Výrobca:
Diodes Incorporated
Číslo dielu:
ZXMN2A04DN8TA-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventár:
584 Ks Nové Originálne Na Sklade
12904074
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ZXMN2A04DN8TA Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Diodes Incorporated
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1880pF @ 10V
Výkon - Max
1.8W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SO
Základné číslo produktu
ZXMN2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMC2450UV-13
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
DMP31D7LDW-13
MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
ZXMC4A16DN8TA
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
