Výrobca Číslo produktu:
BC807-16
Product Overview
Výrobca:
Diotec Semiconductor
Číslo dielu:
BC807-16-DG
Popis:
BJT SOT-23 45V 800MA
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12976766
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BC807-16 Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
Diotec Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
800 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
45 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Výkon - Max
310 mW
Frekvencia - Prechod
100MHz
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
4878-BC807-16CT
2796-BC807-16TR-DG
4878-BC807-16TR
2796-BC807-16TR
4878-BC807-16DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
Not applicable
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SD734F
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
