Výrobca Číslo produktu:
EPC2110ENGRT
Product Overview
Výrobca:
EPC
Číslo dielu:
EPC2110ENGRT-DG
Popis:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Podrobný popis:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
Inventár:
12795179
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
EPC2110ENGRT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
EPC
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
eGaN®
Stav produktu
Active
Technológia
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Common Source
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
120V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 700µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
80pF @ 60V
Výkon - Max
-
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
Die
Balík zariadení dodávateľa
Die
Základné číslo produktu
EPC211
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
