FCP130N60
Výrobca Číslo produktu:

FCP130N60

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FCP130N60-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

127 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946034
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FCP130N60 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperFET® II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3590 pF @ 380 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
278W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FCP130N60 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
127
Iné mená
ONSFSCFCP130N60
2156-FCP130N60

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
nxp-semiconductors

BUK7628-100A,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP13N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP11N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1