FCP4N60
Výrobca Číslo produktu:

FCP4N60

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FCP4N60-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

1335 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946349
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FCP4N60 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
540 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
267
Iné mená
2156-FCP4N60
FAIFSCFCP4N60

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

AUIRFS3806

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK6607-55C,118

NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,

fairchild-semiconductor

FDP8860

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FDP3672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5