FCPF2250N80Z
Výrobca Číslo produktu:

FCPF2250N80Z

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FCPF2250N80Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

360 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946729
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FCPF2250N80Z Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperFET® II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 260µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
585 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
21.9W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FCPF2250N80Z Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
199
Iné mená
2156-FCPF2250N80Z
FAIFSCFCPF2250N80Z

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPA65R225C7

IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO

international-rectifier

IRL7486MTRPBF

IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FQPF3N25

MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F

international-rectifier

AUIRF1405ZL

MOSFET N-CH 55V 150A TO262