FCPF600N60Z
Výrobca Číslo produktu:

FCPF600N60Z

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FCPF600N60Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

171833 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947117
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FCPF600N60Z Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperFET® II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1120 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
89W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FCPF600N60Z Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
235
Iné mená
2156-FCPF600N60Z
ONSONSFCPF600N60Z

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

AUIRF4104STRL

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

stmicroelectronics

STB30NF20

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDMS8027S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK