FCPF9N60NT
Výrobca Číslo produktu:

FCPF9N60NT

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FCPF9N60NT-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

1700 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946482
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
pkaw
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FCPF9N60NT Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
SuperMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1240 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
29.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FCPF9N60NT Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
217
Iné mená
2156-FCPF9N60NT
ONSONSFCPF9N60NT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQP3N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3