FDD8447L

Výrobca Číslo produktu:

FDD8447L

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDD8447L-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

25550 Ks Nové Originálne Na Sklade

12946652

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDD8447L Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

40 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

15.2A (Ta), 50A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

8.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

52 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1970 pF @ 20 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.1W (Ta), 44W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-252 (DPAK)

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

705

Iné mená

2156-FDD8447L

ONSONSFDD8447L

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

stmicroelectronics

STD80N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

fairchild-semiconductor

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK

international-rectifier

IRF40DM229

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

infineon-technologies

BSC091N03MSCGATMA1

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1