FDD8882

Výrobca Číslo produktu:

FDD8882

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDD8882-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

11990 Ks Nové Originálne Na Sklade

12946964

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDD8882 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

12.6A (Ta), 55A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

11.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1260 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

55W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-252 (DPAK)

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

588

Iné mená

2156-FDD8882

FAIFSCFDD8882

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1