FDD8882
Výrobca Číslo produktu:

FDD8882

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDD8882-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

11990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946964
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDD8882 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1260 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
588
Iné mená
2156-FDD8882
FAIFSCFDD8882

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1