Výrobca Číslo produktu:
FDMC8884
Product Overview
Výrobca:
Fairchild Semiconductor
Číslo dielu:
FDMC8884-DG
Popis:
9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventár:
330020 Ks Nové Originálne Na Sklade
12967952
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMC8884 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
685 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta), 18W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-MLP (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
919
Iné mená
2156-FDMC8884-600039
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Vendor Undefined
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ISC0603NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
IPT60R102G7E8236XTMA1
HIGH POWER_NEW
PH2525L,115
NEXPERIA PH2525L - 100A, 25V, 0.
