FDMS7698
Výrobca Číslo produktu:

FDMS7698

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDMS7698-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventár:

27101 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947043
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDMS7698 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta), 22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1605 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 29W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS76

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDMS7698 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,065
Iné mená
FSCFDMS7698
2156-FDMS7698

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STK30N2LLH5

MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK

international-rectifier

IRFBA1404PPBF

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

fairchild-semiconductor

FCPF290N80

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

stmicroelectronics

STP5NK60Z

MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB