FDP8030L
Výrobca Číslo produktu:

FDP8030L

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDP8030L-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

6859 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946418
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDP8030L Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10500 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
187W (Tc)
Prevádzková teplota
-65°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDP8030L Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
59
Iné mená
FAIFSCFDP8030L
2156-FDP8030L

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

IRLU3636PBF

IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDMC7680

MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

international-rectifier

IRF9230

200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA

stmicroelectronics

STE48NM60

MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP