FDP8440
Výrobca Číslo produktu:

FDP8440

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDP8440-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

18984 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946503
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDP8440 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
24740 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
306W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDP8440 Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
120
Iné mená
FAIFSCFDP8440
2156-FDP8440

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FQP13N06L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD6N25TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDD6680AS

MOSFET N-CH 30V 55A TO252

international-rectifier

AUIRF1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK