FDPF12N50NZ
Výrobca Číslo produktu:

FDPF12N50NZ

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDPF12N50NZ-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946898
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDPF12N50NZ Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
UniFET-II™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
520mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1235 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDP12N50NZ Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
306
Iné mená
ONSONSFDPF12N50NZ
2156-FDPF12N50NZ

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

IRFSL7734PBF

IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P

fairchild-semiconductor

FCPF1300N80ZYD

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3

international-rectifier

IRFS4115TRL7PP

IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDS8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1