FDPF7N50F
Výrobca Číslo produktu:

FDPF7N50F

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDPF7N50F-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 6A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

2875 Ks Nové Originálne Na Sklade
13077262
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDPF7N50F Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Tube
Seriál
UniFET™
Balenie
Tube
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.15Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
960 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
FDPF7N50F

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
392
Iné mená
2156-FDPF7N50F-FS
FAIFSCFDPF7N50F

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDMS8674

MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN

nec-corporation

NP82N04NLG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 82A TO262

fairchild-semiconductor

NDS8435A

MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC

fairchild-semiconductor

FDI8442

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK